JFETの特性 JFETの一番の特性は、わずかな入力電流しか流れない、ということにあります。 バイポーラトランジスタと比べるとはるかに少ないと言えるでしょう。
そのため入力側で損失してしまう電流が少なく済み、微弱な信号でも拾って増幅し、出力側に効率よく、そして高速で伝えるという利点に繋がります。
FETはJunction Field Effect Transistorの略で、日本語では接合型電界効果トランジスタと呼ばれています。JFETは電界効果トランジスタの接合型版であるため、まずは、電界効果トランジスタの概要を解説します。
電界効果トランジスタとは、流れる電流を電圧で制御するトランジスタのことをいいます。通常のトランジスタと比較して、消費電力が低く、高周波での動作に適しているという特徴があります。
電界効果トランジスタの構造は大きく2つに分けることができます。それがMOS FETとJFETです。
JFETは金属で絶縁体を挟み込むような構造をしているのに対して、JFETは半導体を繋ぎ合わせた構造を持ちます。JFETは「接合型」と名称がついていることからわかる通り、半導体を接合することによって作られたFETです。
JFETもトランジスタの一種であるため機能は基本的なトランジスタと同じですが、動作速度やスイッチングの性能はトランジスタよりもFETが優れているという特徴があります。
JETタイプ N-CH JFET
パッケージ TO-236-3|SC-59|SOT-23-3
連続ドレイン電流 6.5mA
Manufacturer: Toshiba
Product Category: JFETs
RoHS: Details
Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SC-59
Transistor Polarity: N-Channel
Configuration: Single
Gate-Source Cutoff Voltage: - 1.5 V
Id - Continuous Drain Current: 14 mA
Pd - Power Dissipation: 150 mW
Series: 2SK209
Packaging: Reel
Packaging: Cut Tape
Packaging: MouseReel
Brand: Toshiba
Maximum Drain Gate Voltage: - 50 V
Product Type: JFETs
3000
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